近日，中國科學技術大學合肥微尺度物質科學國家實驗室、化學與材料科學學院教授楊金龍研究組在尋找具有室溫半金屬
磁性材料方面取得重要理論進展，使得制備可在常溫環(huán)境下工作的自旋電子器件成為可能。此成果發(fā)表在《美國化學會志》上。
自旋電子器件基于電子自旋進行信息的傳遞、處理與存儲，具有目前傳統(tǒng)半導體電子器件無法比擬的優(yōu)勢。其中，半金屬
磁性材料由于可以提供完全自旋極化的載流子，被視為構建自旋電子器件的理想材料。為使自旋電子器件能在常溫下工作，半金屬
磁性材料必須具有高于室溫的鐵磁居里溫度、較寬的半金屬能隙，以及顯著的磁各向異性能，至今人們還沒有找到同時滿足這些條件的
磁性材料。
楊金龍研究組基于LaMnAsO和LaZnAsO兩種已經存在的物質，設計了一種新的層狀合金材料La(Mn0.5Zn0.5)AsO。這是一種與傳統(tǒng)“1111”型鐵基超導體同構的反鐵磁半導體材料。通過在該材料的[LaO]+層進行電子摻雜(H-/F-替換O2-)，或者空穴摻雜(Ca2+/Sr2+替換La3+)，可以誘導該材料從反鐵磁半導體轉變成鐵磁半金屬。理論預測新材料的居里溫度可達 600 K(50% 濃度H摻雜)與475 K(25% 濃度Ca摻雜)，半金屬能隙可達0.74eV。同時，該體系的準二維結構賦予材料極高的磁各向異性能，其理論預測值比目前已獲得的半金屬材料高一至兩個數量級。
這一工作為制備具有室溫半金屬
磁性材料指出了一個明確的方向，有望對自旋電子器件的研究與應用產生重要的影響。
上述研究得到了中國科學院、科技部、國家自然科學基金委與量子科技前沿協(xié)同創(chuàng)新中心的支持。
